深能级瞬态谱仪的特点及主要用途

　　深能级瞬态谱仪通过监测半导体结在不同温度下的脉冲产生的电容、电流或电荷瞬变，可产生每个深度级别的光谱，每个深能级都有一个峰值。峰的高度与陷阱密度成正比，其符号允许区分少数和多数陷阱，并且温度轴上的峰的位置导致确定热发射和俘获（活化能和横截面）的基本参数，该方法的应用导致了新现象的发现，并为理解半导体器件的材料加工提供了*的工具。

　　仪器是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段，测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。

　　通过对样品的温度扫描，给出表征半导体禁带范围内的杂质，集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，深能级瞬态谱仪可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布，也可用于光伏太阳能电池领域中，分析转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。

　　净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布，选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布，电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。