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当前位置:首页 > 产品中心 > > 材料测试设备 > TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱

飞行时间二次离子质谱

简要描述:先进的动态TOF-SIMS系统,它使用直流主束的飞行时间分析仪,创建了成像质谱的新范式。直流一次离子束的使用允许快速成像和连续数据采集(即没有单独的蚀刻周期),同时提供高空间和质量分辨率。

特点:
离子束带来高分子量分析和高空间分辨率
四种离子束可选择
用气体团簇离子束SIMS,可以分析高达3000Da的分子量
无“仅蚀刻"循环的深度剖面。
快速、连续采集
冷样品处理
气敏和冷冻样品

  • 产品型号:TOF-SIMS
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2022-12-15
  • 访  问  量:4172

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详细介绍

品牌其他品牌质量分辨率> 17000
质量分析范围3000Da的分子量U原始束流或速能量40kV, 70kVkV
价格区间1000万-2000万仪器种类飞行时间
应用领域化工,生物产业,电子,制药

技术参数:

离子束带来高分子量分析和高空间分辨率

四种离子束可选择

用气体团簇离子束SIMS,可以分析高达3000Da的分子量

无“仅蚀刻"循环的深度剖面。

快速、连续采集

冷样品处理

气敏和冷冻样品,可配置手套箱

高级数据查看功能


腔室上最多可包括3种离子束。选择包括金,C60,气体团簇,和等离子体-每一个适合特定的样品类型或实验,如下所示。

离子束

能量

束斑大小


25kV

<150nm

最高的空间分辨率,导致明显的碎片。是硬质材料的理想选择。

60 (C60)

40kV

<300nm

在任何材料上均匀溅射,碎裂度低,理想值可达1kDa

气体团簇

Ar/CO2/H2O

40kV, 70kV

<1um

有机物的高溅射率,任何束流的低碎片,是生物成像的理想选择。

双等离子体发射源 (Ar/O2/N2/Cs)

30kV

<300nm

高亮度光源,是无机材料的理想选择。氧束提高正离子产率,Cs提高负离子产率。



主要特点:

深度剖面

 SIMS非常适合于样品的深度剖面分析。使用直流离子束进行分析的一个重要方面是,不需要将蚀刻离子束与分析离子束交错。为了能够在合理的时间尺度上生成3D图像,并去除受损的亚表面层,传统的TOF实验使用了交错成像和蚀刻循环,这些循环浪费了宝贵的样品。在使用C60+或(CO2n/Arn+等连续分析离子束,分析和低损伤刻蚀是连续和并行的,因此没有数据丢失,所有材料都被采样,使我们 SIMS成为一个非常精确的深度剖面分析工具。


温度和大气控制的多功能样品处理

 SIMS上的多功能样品处理系统可以分析多种样品类型。仪器配备液氮冷却装置,以便对挥发性样品进行分析——冷却装置适用于主样品阶段和样品插入锁。相反,样品台也可以加热到600 K

仪器配有手套箱,用于在干燥气体下制备和插入空气/水敏感样品,并防止冷却过程中结冰。由于小容量负载锁定和高泵送速度,样品插入很快。

 

半导体

半导体分析的范围可以从浅结深度剖面到高分辨率3D成像。有五种不同的主离子束可供选择,可以针对不同的材料或实验类型进行定制。

 40kV C60 光束中进行选择,即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均匀的溅射率,是平面设备的理想选择。或 FLIG 5,超低能耗 O2/Cs 光束,具有高的电流密度,是浅结深度剖析的选择。

特征:IOG C60-40, FLIG 5, 深度剖析, 3D 成像

  

聚合物

液态金属离子束会导致高水平的碎裂和对表面的损坏,然后必须通过GCIB将其去除。这会降低深度分辨率,并增加实验不必要的复杂性。GCIB是主光束,因此可确保低分段,不需要仅蚀刻循环,并保证高深度分辨率。

GCIB SM 是市场上能量最高的 GCIB,能够快速和最小的损坏蚀刻聚合物等软质材料,从而实现比以往更大的 3D 分析量。

特征:GCIB SM, 深度剖析, 3D 成像


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