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关于深能级瞬态谱仪,有什么是我们不知道的

发布时间:2022-09-06      点击次数:27
  深能级瞬态谱是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。
  
  深能级瞬态谱仪可以给出与陷阱有关的密度,热交叉选择,能级,空间分布等。通过监测半导体结在不同温度下的脉冲产生的电容、电流或电荷瞬变,可产生每个深度级别的光谱,每个深能级都有一个峰值。
  
  根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种检测灵敏度的实验方法。能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。
  
  通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS谱。同时DLTS测试软件集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。
  
  深能级瞬态谱仪测试须知:
  
  1、样品大小:<20mm*20mm;电极直径:>600微米;电极距离:>1mm或者在两面。
  
  2、样品结构
  
  (1)肖特基结构;
  
  (2)P/N结结构(p/n+或者n/p+);
  
  (3)MIS(MOS)结构。
  
  测试温度78K~700K,一定要提供样品结构示意图。
  
  3、测试需要提供参数
  
  (1)样品标注正负极;
  
  (2)电流,电压值;
  
  (3)结的面积。对于肖特基,即肖特基金属的面积;对于PN结,即PN结的面积,对于MIS(MOS),即栅介质上金属的面积;由于测试探针针尖面积约500平方微米,故要求结的面积要大于针尖面积。
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