纳米级离子注入系统

Q-One型纳米级离子注入系统， 优良的纳米级离子注入平台

Q-One纳米级离子注入系统是一种具有纳米级精度的确定性单离子注入的最新工具。这是一种全新的设计，功能强大的FIB，能够以惊人的精度和前所的未有的速度定位单个离子。

Q-One具有许多强大的功能，是制造量子器件和优良材料工程的优良系统。

快速、可扩展的设备制造

Q-One比SPM（扫描探针显微镜）技术快许多数量级，它可以在短短几秒钟内产生数百万个精确定位的原子阵列。

纳米精度

Q-One具有20纳米聚焦离子束和1纳米光学编码器的压电驱动级，提供了最终的精确离子放置。

植入多种元素

液态金属离子源和质量过滤柱可选择和植入40多种不同元素。双等离子体源也可用于氧和氮掺杂。

双离子束

高分辨率电子柱可提供高达4nm的详细成像，用于现场验证和过程控制。

应用

单离子注入

量子器件制造与研究

纳米材料工程

光子系统

存储设备

成功案例

单离子多物种低能定位项目

作为单离子多物种低能定位项目的一部分， 2018年在英国 Surrey Ion Beam Centre安装了第一批两台同类仪器。

PLATFORM FOR NANOSCALE ADVANCED MATERIALS ENGINEERING

Q-One系统成为英国Henry Royce研究所，纳米优良材料工程新平台的核心。