产品列表PRODUCTS LIST

首页 > 技术与支持 > 深能级瞬态谱仪整体结构设计合理
深能级瞬态谱仪整体结构设计合理
点击次数:145 发布时间:2019-08-26
   深能级瞬态谱仪集成多种自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布,也可用于光伏太阳能电池领域中,分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位,确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。
   该仪器测量界面态速度快,精度高,是生产和科研中可广为应用的测试技术。随着电脑技术的发展,使得在短时间内进行复杂计算成为可能,在纯指数发射过程模型的基础上,用各种数学模型分析测量到的瞬态过程,如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS(等温瞬态光谱)信号重叠法、温度扫描信号重叠法(重折叠)。
   深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能 级瞬态谱,深能级瞬态谱仪是一种具有高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。
   通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的谱仪,集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。深能级瞬态谱仪测量界面态速度快,精度高,是生产和科研中可广为应用的测试技术,自动连线检测;自动电容补偿功能,探测灵敏度高瞬态电流测量;傅里叶转化功能。     
   利用该系统,深能级瞬态谱仪测量了多晶硅太阳能电池的电容-温度曲线。实验发现当电池两端外加反向偏压为-400mV时,有4个明显深能级,通过改变选定的率窗t1、t2,得到了多晶硅太阳能电池杂质能级的相关物理信息。
 
在线客服
电话
021-56035615
手机
13916855175