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光刻机/紫外曝光机

简要描述:

光刻机/紫外曝光机
该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。

更新时间:2018-12-11

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光刻机/紫外曝光机

仪器简介:
   光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)
   原产国: 韩国MIDAS公司,一能做到图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻机,高性价比
   型号:MDA-400M, MDA-60MS

    又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机,紫外曝光机等;
MIDAS为全球*的半导体设备供应商,多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。
    感谢南开大学,中科院半导体所,中科院长春应化所,中科院物理所,浙江师范大学使用此设备做课题研究!!
    此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号,达到欧美品牌的对准精度,CCD显示屏对准更为方便,液晶触摸屏操作,采用欧司朗紫外灯,寿命长。整机效果皮实耐用,正常使用3年内不会出问题!!
    目前,上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产,证明其品质达到LED产业标准要求!!而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻工艺设备

技术参数:
- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;
- 光束均匀性:<±3%;
- 曝光时间可调范围:0.1 to 999.9秒;
- 对准精度:0.6-1微米
- 分辨率:1微米;
- 光束输出强度:15-25mW/cm2;

 项目 技术规格 
曝光系统(Exposure System)
 
MDA-400M型
光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply
分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )
- Hard Contact : 1um
- Soft contact : 2um
- 20um Proximity: 5um
最大光束尺寸4.25×4.25 inch
光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)
光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)
曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec
对准系统(Alignment System)对准精度1um
对准间隙手动调节(数字显示)
光刻模式真空, 硬接触, 软接触,渐进(Proximity)
卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation
真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°
Z向移动范围10mm
接近调整步幅1um
样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch
掩模板尺寸4 and 5 inch
Utilities真空 Vacuum< -200 mbar (系统包含真空泵)
压缩空气 CDA> 5Kg/cm2
氮气 N2>3Kg/cm2
电源 Electricity220V, 15A, 1Phase
显微镜及显示器
CCD and Monitor
Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

主要特点:
- 光源强度可控;
- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);
- 系统控制:手动、半自动和全自动控制;
- 曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式;
- 真空吸盘范围可调;
-技术:可双面对准,可双面光刻,具有IR和CCD模式
- 两个CCD显微镜系统,最大放大1000倍,显示屏直接调节,比传统目镜对准更方便快捷,易于操作。
- 特殊的基底卡盘可定做;
- 具有楔形补偿功能;

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