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反应离子刻蚀系统

简要描述:

反应离子刻蚀系统为达到此目的,必须对真空度,气体流量,离子加速电压等进行佳调整,同时,为得到高密度的等离子体,需用磁控管施加磁场,以提高加工能力。
我司提供多型号的RIE刻蚀系统,满足国内客户研究和生产的需要。

更新时间:2018-12-11

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反应离子刻蚀系统

RIE,全称是Reactive Ion Etching,反应离子刻蚀,是一种微电子干法腐蚀工艺。
RIE是干蚀刻的一种,这种蚀刻的原理是,当在平板电极之间施加10~100MHZ的高频电压(RF,radio frequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath),在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻,此即为RIE(Reactive Ion Etching)。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面,经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞,而直接向试样撞击。为达到此目的,必须对真空度,气体流量,离子加速电压等进行佳调整,同时,为得到高密度的等离子体,需用磁控管施加磁场,以提高加工能力。
我司提供多型号的RIE刻蚀系统,满足国内客户研究和生产的需要。

反应离子刻蚀系统
深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) 
RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘,柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出,最大可进行8英寸直径样品实验,带有两个舱门:一个舱门带有2英寸视窗,另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高,自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。
DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘,设备使用2kw 8英寸ICP源,使用500L/秒的涡轮泵,在10-3Torr压力范围运行。



RIE 设备参数:
铝材腔体或不锈钢腔体;
不锈钢盒;
可以刻蚀硅化物(~400 Å /min)或金属;
典型硅刻蚀速率 400 Å /min;
射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF);
真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr;
双刻蚀容量:RIE和等离子刻蚀;
气动升降盖;
手动/全自动装卸样品;
预抽真空室;
电脑控制
选配ICp源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。

反应离子蚀刻系统可选配:
1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching);
2. ICP等离子源,2KW射频电源及调谐器;
3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling);
4. 终点探测(End point detection) ;
5. 兰缪尔探针;
6. 静电卡盘(Electrostatic chuck);
7. 附加MFC’s;
8. 1KW射频电流源及调谐器;
9. 低频电流源及调谐器;

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