脉冲激光外延制备镀膜系统 脉冲激光外延制备系统凭借着优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户,为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章,用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长。
该台式原子层沉积镀膜系统拥有达到或超过市场上其他品牌的功能,同时易于使用和维护 - 成本低于当今市场上的价格 腔室温度:室温到325°C±1°C; 前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C(带加热夹套) 市场上最小的占地面积(2.5 平方英尺),台式 安装和洁净室兼容 简单的系统维护和实用程序和 市场上的前体使用
脉冲激光沉积镀膜设备 激光在真空腔内照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态,然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。
微型磁控溅射镀膜设备 这款来自美国的微型磁控溅射系统满足研究所和研发部门对真空薄膜沉积的性能要求,占用空间小,具有超高的性价比,可以向客户提供优质的服务。
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