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俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统

简要描述:

俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统电子枪:
型号 :带可调焦距和束斑直径的双静电透镜
束流电压:0-3KV
束流电流:最大50uA
束流直径:最大800um
灯丝:钨灯丝
磁罩:带前置保护壳的Mu罩

更新时间:2018-12-11

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俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统
俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统,又称俄歇电子能谱AES及低能电子衍射LEED样品表面深度分析系统。基于俄歇电子能谱AES、低能电子衍射LEED、及氩离子溅射深度分布的分析系统,完成对薄膜及合金的元素组成和深度分布的分析。
非接触式测量薄膜及合金元素组成。
带样品预抽真空室 (load-lock腔室)。

特性:
-对原子结构,元素组成和厚度分析达到“亚纳米级”精度
-大范围样品分析
-半自动化操作


系统特性
俄歇电子能谱AES分析器
分析器型号-延迟型区域分析器,自带同轴电子枪
能量分辨率:<5%
工作距离 10mm
检测器: 1e7至1e8增幅范围的电子倍增器通道
安装法兰-4.5英寸O.D.标准CF法兰(NW63CF)

电子枪:
型号 :带可调焦距和束斑直径的双静电透镜
束流电压:0-3KV
束流电流:最大50uA
束流直径:最大800um
灯丝:钨灯丝
磁罩:带前置保护壳的Mu罩

深度离子溅射枪
离子源  在磁场内电子冲击形成离子
离子化阴极  钨-铼灯丝
直接安装于70mmO.D.CF法兰
束流电流:最大10 uA
束流能量:0-3keV
束流尺寸;直径范围5至25mm
束流均匀度:<5%
气体输入:经过泄漏阀气体直接输入至离子源
安装法兰:23/4英寸(70mm)O.D.CF法兰

样品传递操作
样品尺寸:尺寸从10mm-20mm
样品置入:单个样品置入
样品传输:线型磁动样品传输臂

真空系统
腔体:100mm焊接超高真空腔体(304不锈钢)
真空泵:60L/sec离子泵和50l/sec的分子泵,配备匹配的前级泵
真空规:宽量程真空规

真空兼容:超高真空材料
烘烤:真空下可最高烘烤至250度

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