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校准晶圆标准品

简要描述:污染晶圆标准品、校准晶圆标准品和二氧化硅颗粒晶圆标准品使用颗粒沉积系统生产,该系统将首先使用差分迁移率分析仪(DMA)分析PSL尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。DMA是一种高精度颗粒扫描工具,结合凝聚态粒子计数器和计算机控制,基于NIST可追溯粒径校准分离出高精度粒径峰。一旦尺寸峰得到验证,粒度流就被引导到主硅、晶圆标准表面。颗粒在沉积在晶圆表面上之前被计数,通常是在晶圆上全部沉积。

  • 产品型号:Full Deposition PSL Wafer
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2022-12-13
  • 访  问  量:103

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颗粒校准晶圆标准品

校准晶圆标准

污染晶圆标准品、校准晶圆标准品和二氧化硅颗粒晶圆标准品使用颗粒沉积系统生产,该系统将首先使用差分迁移率分析仪(DMA)分析PSL尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。DMA是一种高精度颗粒扫描工具,结合凝聚态粒子计数器和计算机控制,基于NIST可追溯粒径校准分离出高精度粒径峰。一旦尺寸峰得到验证,粒度流就被引导到主硅、晶圆标准表面。颗粒在沉积在晶圆表面上之前被计数,通常是在晶圆上全部沉积。或者,可以在晶圆周围的特定位置沉积多达 8 个粒径作为点沉积。晶圆标准品为KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、Surfscan SPx、Tencor 6420、Tencor 6220、Tencor 6200、ADE、Hitachi和Topcon SSIS工具和晶圆检测系统的尺寸校准提供高精度的尺寸峰。


差分迁移率分析仪,DMA电压扫描,二氧化硅尺寸峰,100nm


PSL球体尺寸标准品和二氧化硅尺寸标准液由差分迁移率分析仪扫描,以确定真正的尺寸峰。一旦分析了尺寸峰,就可以将晶圆标准品沉积为全沉积或点沉积,或多点沉积晶圆标准品。扫描上方100纳米(0.1微米)处的二氧化硅尺寸峰,DMA在101nm处检测到真正的二氧化硅尺寸峰。

全沉积或点沉积晶圆标准品颗粒沉积系统提供高精度的PSL校准晶圆标准品和二氧化硅污染晶圆标准品。

我们的 2300 XP1 颗粒沉积系统提供自动颗粒沉积控制,以生成您的 PSL 晶圆标准品和二氧化硅晶圆标准品。

颗粒沉积应用

  • 高分辨率、NIST 可追溯的 DMA(差分迁移率分析仪)选型和分类超过了新的 SEMI 标准 M52、M53 和 M58 协议,以实现 PSL 尺寸精度和尺寸分布宽度

  • 在 60nm、100nm、269nm 和 900nm 处自动校准沉积尺寸

  • 先进的差动率分析仪(DMA)技术,具有自动温度和压力补偿功能,可提高系统稳定性和测量精度

  • 自动沉积工艺可在一个晶圆上提供多个点沉积

  • 整个晶圆上的完整晶圆沉积;或在晶圆上的任何位置进行点沉积

  • 高灵敏度允许PSL球和二氧化硅颗粒沉积从20nm到2um

  • 沉积二氧化硅颗粒,用于使用高功率激光扫描校准晶圆检测系统

  • 存放PSL球体,以便使用低功率激光扫描校准晶圆检测系统

将PSL球体和二氧化硅颗粒沉积在主要硅晶圆标准品或150mm光掩模上。

PSL 校准晶圆标准、二氧化硅污染晶圆标准

颗粒沉积工具用于在晶圆标准品上沉积非常精确的PSL尺寸标准品或二氧化硅粒径标准品,以校准各种晶圆检测系统。

  • PSL校准晶圆标准,用于校准使用低功率激光器扫描晶圆的晶圆检测系统。

  • 二氧化硅污染晶圆标准,用于校准使用高功率激光器扫描晶圆的晶圆检测系统。

校准掩模标准或二氧化硅掩模标准

我们的 2300 XP1 在 75mm 至 300mm 晶圆直径的硼硅酸盐掩模和优质硅上沉积 NIST 可追溯、经过认证的掩模标准。

  • 125mm 和 150mm 模板上的 PSL 校准模板标准

  • 150mm口罩上的二氧化硅污染标准

  • 75mm至300mm校准晶圆标准

  • 75mm至300mm二氧化硅污染晶圆标准


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