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当前位置:首页 > 产品中心 > > 镀膜设备 > Compact ALD台式原子层沉积系统

台式原子层沉积系统

简要描述:该ALD拥有达到或超过市场上其他品牌的功能,同时易于使用和维护 - 成本低于当今市场上的价格
腔室温度:室温到325°C±1°C;
前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C(带加热夹套)
市场上最小的占地面积(2.5 平方英尺),台式 安装和洁净室兼容
简单的系统维护和实用程序和 市场上的前体使用
流线型腔室设计和小腔室体积
快速循环能力
全硬件和软硬件联锁,即使操作安全 在多用户环境中

  • 产品型号:Compact ALD
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2022-12-26
  • 访  问  量:112

产品分类

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详细介绍

品牌其他品牌价格区间10万-50万
应用领域化工,电子

用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料,例如Pt,Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷,减少局部光束加热引起的热损伤,并改善二次电子信号。

传统上,这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步,某些类型的样品不能通过PVD提供,因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。

研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜,因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统(与台式溅射的价格点相同) 

为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案,同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。我们不仅突破了界限,而且是当前样品制备过程的有效替代品,所有这些都在台式配置中,价格相当。


热ALD / PEALD

沉积工艺:
金属:Ru、Ti、Co、…

氧化物:Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、,。。。

氮化物:TiN、TaN等,。。


基板尺寸:工件最大为6英寸

源注入:双型喷头

基板加热器温度:RT至最高350℃(@晶片)

前躯体化学源数量:3套

源瓶加热:RT至150℃

射频功率:600W@13.56Mhz

极限压力:≤5.0×10-3乇

泵:干式泵或旋转泵

沉积均匀度:≤±3%

系统控制:PC控制(UPRO软件)

可选 源瓶加热温度200℃

尺寸(宽*长*高)850mm*720mm*600mm


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