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深能级瞬态谱仪1

简要描述:

深能级瞬态谱仪1半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱

更新时间:2018-12-11

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深能级瞬态谱仪1

深能级瞬态谱仪1(DLTS)
     深能级瞬态谱(Deep Level Transient Spectroscopy)是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS 谱。集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。
     Semetrol DLTS集成多种自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布,也可用于光伏太阳能电池领域中,分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位,确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。该仪器测量界面态速度快,精度高,是生产和科研中可广为应用的测试技术.
 
主要特点 :
• 自动连线检测;
• 自动电容补偿功能;
• 探测灵敏度高
• 瞬态电流测量;
• 傅里叶转化功能;
• 深能级瞬态谱分析;
    
应用领域 :
•检测Si、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。
 
 
 
Semetrol DLTS系统配置:
- 脉冲发生器
电压范围: ±20.4 V (±102 V opt.)
脉冲宽度:1 µs - 1000 s
- 电容测量
高频信号100 mV @ 1 MHz (20 mV 可选)
电容范围 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自动或手动)
灵敏度 0.01 fF
- 电压测量:
范围 ±10 V
灵敏度 < 1 µV
 
温度范围:30K~450K
电阻范围:0.1 mOhm - 10 GOhm
 
 
 
多种测量模式:
   C-DLTS(电容模式)
   CC-DLTS (定电容模式)
   I-DLTS (电流模式)
   DD-DLTS (双关联模式)
   Zerbst-DLTS (Zerbst模式)
   O-DLTS (光激发模式)
   FET-Analysis (FET分析)
   MOS-Analysis (MOS分析)
   ITS (等温瞬态谱)
   Trap profiling
   CCSM(俘获截面测量)
   I/V,I/V(T) (查理森Plot分析)
   C/V, C/V(T)
   TSC/TSCAP
   PITS (光子诱导瞬态谱)
   DLOS (特殊系统)

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