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硅穿孔工艺设备

简要描述:

硅穿孔工艺设备圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的新技术。能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,芯片之间的互连线最短,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能,使目前电子封装技术中最引人注目的新技术。

更新时间:2018-12-11

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硅穿孔工艺设备

硅穿孔工艺设备
硅穿孔(TSV):通过芯片和芯片之间,晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的新技术。能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,芯片之间的互连线最短,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能,使目前电子封装技术中最引人注目的新技术。
特点:
1.缩小封装尺寸。
2.高频特性出色,减少传输延时的一种技术。
3.降低芯片功耗,TSV可将硅锗芯片的功耗降低约40%。
4.热膨胀可靠性高。



产品特点:
应用范围:TSV工艺
晶圆尺寸:6英寸,8英寸,12英寸
工艺流程:Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工艺特型:单晶圆面向上湿法工艺
薄膜沉积:Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反应物管路:CDS( Chemistry Delivery System)
系统参数:单晶圆腔体工艺(手动,半自动)
多腔体工艺(自动)
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS

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