PECVD+RIE等离子体增强化学气相沉积该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频（RF），可选用空阴*密度等离子体（HCD）源、感应耦合等离子体（ICP）源。大沉积尺寸为8英寸。

反应离子刻蚀机（美国产，高性价比）-聚合物或光阻的等温各向同性干刻 -硅片或玻璃表面清洁 -硅表面氧化去除

涂布机 / 胶印机 （研发型）粘度范围：1-20000cps 应用衬底：玻璃， PET聚酯， 纸张 幅宽： 90mm, 120mm, 300mm

电子束蒸发系统 热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；

磁控溅射系统专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。

脉冲激光沉积系统（PLD）靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料

基质辅助脉冲激光沉积系统The polymer material will then deposit on the substrate while the solvent will be pumped away （if you choose the correct solvent）. This process has been used to successfully deposit a wide