IG2型离子源 / 氩枪，典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)，溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程。

合金纳米颗粒UHV沉积源，通过调整各种工艺参数（如气体流量、气体类型、磁控管功率和聚集长度 （Lg））或改变聚集区孔径的大小，来控制纳米颗粒涂层的性能。

UHV磁控溅射源是高质量的磁控溅射源，用于超高真空应用的圆形磁控管，可以单独提供，也可以集成到定制的真空系统中。这些圆形磁控溅射源与所有 UHV 系统兼容。

俄歇电子能量谱组件，是一款俄歇光谱圆柱镜分析仪，专为许多不需要AES映射功能的俄歇分析应用而设计。

热舟蒸发源-真空组件 应用范围： 薄层沉积； 光学涂覆； 混合层沉积； 金属电极接触。

俄歇电子能量谱-真空组件 俄歇电子能量谱是一种利用高能电子束为激发源的表面分析技术. AES分析区域受激原子发射出具有元素特征的俄歇电子。俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，

等离子体原子/离子源-真空组件 产生感应耦合等离子体,包括氮气,氧气和氢气等分子气体。使用1个射频线圈（频率13.56MHz）,能量将转化为等离子体，这会产生仅具有低离子能量的”软”等离子体。 我司提供的这款电子束蒸发源是由高质量，*与高真空兼容材料构成，并且可以烘烤至250℃。

半球型电子能量分析谱-真空组件 大型高透射半球形电子能量分析谱--120mm半径. ¨ 全程180度反转角度. ¨ 边缘界线区域校正--使用Jost电极.