热舟蒸发源应用范围： 薄层沉积； 光学涂覆； 混合层沉积； 金属电极接触。

俄歇电子能量谱是一种利用高能电子束为激发源的表面分析技术. AES分析区域受激原子发射出具有元素特征的俄歇电子。俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，

等离子体原子/离子源产生感应耦合等离子体,包括氮气,氧气和氢气等分子气体。使用1个射频线圈（频率13.56MHz）,能量将转化为等离子体，这会产生仅具有低离子能量的”软”等离子体。 我司提供的这款电子束蒸发源是由高质量，*与高真空兼容材料构成，并且可以烘烤至250℃。

半球型电子能量分析谱¨ 大型高透射半球形电子能量分析谱--120mm半径. ¨ 全程180度反转角度. ¨ 边缘界线区域校正--使用Jost电极.

电子束蒸发源对于使用常用热蒸发技术非常难蒸发的材料,电子束蒸发是一种有效的蒸发手段.通过高能电子束射向靶材来升高靶材温度.相比于通常辐射或间接电阻加热方式,使用这种方式来达到温度没有本质的限制。

磁控溅射靶源 我司提供的磁控溅射源是目前一和超高真空系统（1e-11torr）匹配的商业用溅射源。 在不配置弹性垫圈的结构中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空环境下，可以实现超高纯度的溅射沉积。

IG2离子源典型应用是氩离子溅射清洗表面（中科院物理所配置多套IG2型离子源） 溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程 离子辅助沉积 离子束溅射镀膜 反应离子刻蚀

真空腔体水气解吸附组件 Zcuve是近年来上较多使用的水蒸气解吸技术。*的设计可从2.75“扩展到8”法兰尺寸，具有比例较高的紫外线功率因数